Projekty oddelenia elektrónovej litografie VEGA – Vedecká grantová agentúra MŠVVaŠ SR a SAV
GAV – Grantová agentúra pre vedu
COPERNICUS – European Communities
ASFEU – Agentúra MŠVVaŠ SR pre štrukturálne fondy EÚ
APVV – Agentúra na podporu výskumu a vývoja
MAD – Medzi-akademická dohoda

Aktuálne riešené projekty oddelenia:

Ukončené projekty:

Inovácia sub-mikrometrovej elektrónovej litografie
Innovation of sub-micrometer electron beam lithography
Program: Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: SK-BUL-010-06
Doba trvania: 1.1.2007 – 31.12.2009
Web stránka: http://www.ie-bas.dir.bg/Departments/Beamtech.htm
Kompatibilné molekulárne procesy pre prípravu molekulárnych elektronických obvodov
Molecular-friendly processes for fabrication of molecular electronic devices
Program: Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: SK-GR-047-11
Doba trvania: 1.1.2013 – 31.12.2014
Anotácia
Korelácia štruktúry a magnetických vlastností nových magnetických nano častíc
Correlation of structure and magnetism in novel nanoscale magnetic particles
Program: 5RP
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: 150
Doba trvania: 1.3.2000 – 31.7.2004
Web stránka: http://agfarle.uni-duisburg.de/RTN
Radikálna inovácia bezmaskovej nanolitografie
Radical Innovation Maskless Nanolithography
Program: 6RP
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: 17133
Doba trvania: 1.10.2005 – 30.9.2008
Web stránka: www.rimana.org, http://cordis.europa.eu/fetch?CALLER=FP6_PROJ=D=74659=1=PROJ=14
Technológia výroby matice paralelných inteligentných nosníkov –sondových platform pre analýzu a syntézu v nanometrovej oblasti
Technology for the Production of Massively Parallel Intelligent Cantilever – Probe Platform for Nanoscale Analysis and Synthesis
Program: 6RP
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: 515739
Doba trvania: 1.4.2005 – 30.9.2010
Web stránka: www.pronano.org
Tvarovanie štruktúr pre senzorové aplikácie s využitím elektrónovej litografie
Nano-structuring by Electron Beam Lithography for Sensor Application
Program: Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: APVV SK-BG-2013-0030
Doba trvania: 9.5.2016 – 31.12.2017
Výkonná litografia submikrometrových a nanometrových štruktúr
Robust Lithography of Submicron nad Nano-dimensional Structures
Program: Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: SK-BG-0037-10
Doba trvania: 1.1.2012 – 31.12.2013
Anotácia
Výskum elektrónových rezistov a príprava nanoštruktúr s využitím elektrónovej litografie vo výskume senzorov plynu
Study of electron beam resists and patterning of nano-structures by electron beam lithography for gas sensor applications
Program: Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: JRP SAS-BAS 2015-2017
Doba trvania: 1.1.2015 – 31.12.2017
Budovanie Centra excelentnosti pre nové technológie v elektrotechnike – II. etapa
Centre of Excelence for New Technologies in Electrical Engineering
Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: ITMS – 262 401 200 19
Doba trvania: 1.3.2010 – 28.2.2013
Web stránka: http://www.elu.sav.sk/old/cente/index.html
Anotácia
Centrum excelentnosti pre nové technológie v elektrotechnike – I.etapa
Center of Excellence for New Technologies in Electrical Engineering
Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: ITMS – 26240120011
Doba trvania: 15.5.2009 – 14.5.2011
Web stránka: http://www.elu.sav.sk/old/cente/index.html
Anotácia
Fyzika informácie
Physics of Information
Program: Centrá excelentnosti SAV
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID:
Doba trvania: 1.1.2005 – 31.12.2008
Web stránka: http://www.quniverse.sk/cepi/
Anotácia
Hybridné spintronické štruktúry riadené spinovopolarizovaným prúdom
Hybrid Spintronic Nanostructures Controlled by Spin-Polarized Current
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: APVV-0173-06
Doba trvania: 1.1.2007 – 30.4.2010
Web stránka: http://www.fu.sav.sk/?q=sk/projects#APVV
Anotácia
Nanoštruktúrne tenkovrstvové materiály a inovatívne technológie pre MEMS senzory plynov a ťažkých kovov
Nanostructured thin-film materials and innovative technologies for MEMS gas and heavy metal sensors
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: 1/0828/16
Doba trvania: 1.1.2016 – 31.12.2019
Anotácia
Pokročilé MEMS chemické senzory pre extrémne podmienky
Advanced MEMS chemical sensors for extreme conditions
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: APVV-0655-07
Doba trvania: 1.6.2008 – 31.12.2010
Web stránka: www.elu.sav.sk
Anotácia
Príprava \’aktívnych\’ hrotov sondovej mikroskopie metódou MOCVD
Preparation of \’active\’ tips for probe microscopy by MOCVD
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID: APVV-51-045705
Doba trvania: 1.1.2007 – 31.10.2009
Web stránka: http://www.elu.sav.sk/apvv.html
Anotácia
Technológia výroby matice paralelných inteligentných nosníkov – sondových platform pre analýzu a syntézu v nanometrovej oblasti
Technology for the Production of Massively Parallel Intelligent Cantilever – Probe Platform for Nanoscale Analysis and Synthes
Program: Vedecko-technické projekty
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Kostič Ivan
ID:
Doba trvania: 1.1.2009 – 31.12.2009
Anotácia
Výskum nových nanolitografických technológii
Investigation of novel nanolithographic technologies
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Hrkút Pavol CSc.
ID: 2/0214/09
Doba trvania: 1.1.2009 – 31.12.2011
Web stránka: www.ui.sav.sk/ebl
Anotácia
Výskum nových rezistových materiálov pre litografiu novej generácie
Investigation of Novel Resist Materials for Next Generation Lithography
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Hrkút Pavol CSc.
ID: VEGA 2/6184/26
Doba trvania: 1.1.2006 – 1.12.2008
Výskum a vývoj nových informačných technológií na predvídanie a riešenie krízových situácií a bezpečnosť obyvateľstva
(CRISIS)
Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ: doc. Ing. Hluchý Ladislav CSc.
ID: ITMS 26240220060
Doba trvania: 3.1.2011 – 31.12.2013
Anotácia

Aktuálne riešené projekty oddelenia (anotácie):

Ukončené projekty (anotácie):

Kompatibilné molekulárne procesy pre prípravu molekulárnych elektronických obvodov
Molecular-friendly processes for fabrication of molecular electronic devices
Anotácia: Cieľom tohto projektu je vývoj a optimalizácia technológie prípravy molekulárnych logických obvodov založenej na samoorganizácii molekulárnych monovrstiev, overenie technológie na konkrétnom molekulárnom obvode a následná charakterizácia molekulárneho obvodu. Konkrétne je navrhnutý vývoj molekulárneho spínača. Pri príprave dielektrickej hradlovej a kovovej elektródy je navrhnutý technologický postup, ktorý minimalizuje riziko poškodenia molekulárnej monovrstvy alebo jej elektrických vlastností. To znamená, že nebudú použité roztoky alebo tepelného spracovanie.

Výkonná litografia submikrometrových a nanometrových štruktúr
Robust Lithography of Submicron nad Nano-dimensional Structures
Anotácia: Tento projekt nadväzuje na predchádzajúci projekt Slovensko-Bulharskej vedecko-technickej spolupráce, v ktorom boli riešené problémy submikrometrovej elektrónovej litografie. V tomto projektu navrhujeme rozšíriť experimenty a simulácie do oblasti nanometrových rozmerov štruktúr. Výroba obvodov v nanometrovej oblasti si vyžaduje veľmi presnú reguláciu profilu štruktúr v polymérnych rezistoch. Proces simulácie je kľúčový pre optimalizáciu výsledkov litografického procesu. Konečným cieľom projektu je využitie výsledkov výskumu pre expozície štruktúr v oblasti rozmerov menej ako 100 nm. Projekt má nasledovné ciele: – príprava spoločných publikácií,- spoločná aktívna účasť na konferenciách EBT 2010 v Bulharsku a APCOM 2011 na Slovensku,- vzájomné využívanie špeciálnych laboratórnych zariadení – elektrónového litografu ZBA a rastrovacej elektrónovej mikroskopie v SAV a AFM mikroskopie v BAN,- zbieranie výskumných materiálov v oblasti nanolitografie pre výukové a popularizačné účely.

Budovanie Centra excelentnosti pre nové technológie v elektrotechnike – II. etapa
Centre of Excelence for New Technologies in Electrical Engineering
Anotácia: Strategickým cieľom projektu je„Zvýšenie potenciálu pre špičkový základný výskum Centra excelentnosti pre nové technológie v elektrotechnike a jeho prínosu pre spoločnosť a prax“.Projekt má nasledovné špecifické ciele:1: Zabezpečenie efektívneho fungovania a riadenia Centra excelentnosti2: Zvýšenie výskumného potenciálu Centra špičkovými prístrojmi potrebnými pre realizáciu prebiehajúcich a pripravovaných projektov3: Zvýšenie spoločensko-hospodárskej pridanej hodnoty Centra excelentnosti.

Centrum excelentnosti pre nové technológie v elektrotechnike – I.etapa
Center of Excellence for New Technologies in Electrical Engineering
Anotácia: ÚI SAV sa podieľal na realizácii projektu CENTE-I v rámci výzvy Operačného programu Výskum a vývoj na opatrenie č. 4.1 Podpora sietí excelentných pracovísk výskumu a vývoja ako pilierov rozvoja regiónu v Bratislavskom kraji so strategickým cieľom zvýšiť výskumno-vývojový potenciál BSK regiónu v oblasti elektrotechniky pre potreby spoločensko-hospodárskej praxe a medzinárodnej vedecko-technickej spolupráce. Medzi špecifické ciele projektu patrí najmä zlepšenie technickej infraštruktúry špičkových výskumných pracovísk v oblasti elektrotechniky v Bratislavskom regióne, keďže súčasná úroveň technickej infraštruktúry neumožňuje realizovať viaceré výskumné aktivity, vybavenie Centra špičkovými prístrojmi potrebnými pre realizáciu prebiehajúcich a pripravovaných projektov, zvýšenie úrovne informačno-komunikačných technológií Centra a integrácia Centra do regionálnej a medzinárodnej spolupráce. Centrum excelentnosti tvoria nasledovné nové laboratóriá: Laboratórium pre nanášanie kovov v čistých priestoroch, Laboratórium pre prípravu a tvarovanie nanoštruktúr a Laboratórium pre detekciu klastrov v tenkých vrstvách. ÚI SAV je zapojený do výskumnej činnosti Laboratória pre prípravu a tvarovanie nanoštruktúr. Rieši výskumné a aplikačné úlohy v oblasti elektrónovej litografie.

Fyzika informácie
Physics of Information
Anotácia: ÚI SAV rieši čiastkové úlohy prípravy nanoštruktúr metódou priamej elektrónovej litografie a návrh technológie a realizáciu obvodu mikroelektromagnetickej matice pre manipuláciu s nanočasticami.

Hybridné spintronické štruktúry riadené spinovopolarizovaným prúdom
Hybrid Spintronic Nanostructures Controlled by Spin-Polarized Current
Anotácia: Cieľom projektu je zhotovenie, charakterizácia a výskum nových GMR a TMR štruktúr pre spintroniku, ktoré sú založené na prúdom indukovanom preklápaní magnetizácie (CIMS) s využitím ako senzory magnetického poľa. Pripravíme a preskúmame spintronické GMR a TMR nanostlpiky (laterálny rozmer (150 nm) pre výskum prúdom indukovaného preklápanie magnetizácie (CIMS). GMR nanostlpiky pripravime UHV depozíciou a nanočasticovou lift-off litografiou a elektrónovou litografiou (EBL). Inovatívne TMR nanostlpiky so zabudovanými magnetickými nanocasticami budú pripravené kombináciou UHV naparovania, LB depozície nanočastíc a EBL. Magnetické konfigurácie nanostlpikov budú skúmané rastrovacím MOKE mikroskopom. Bude analyzovaný súvis štruktúry nanostlpikov, drsnosti rozhraní (vertikálnej a laterálnej korelácie drsnosti) a Néelovej feromagnetickej väzby s magnetickým a CIMS správaním sa pripravených štruktúr s cieľom dosiahnuť zníženie hustoty preklápacieho prúdu. Preskúma sa priebeh magnetizácie in situ pri jej preklápaní spinovo-polarizovaným prúdom simultánnymi meraniami závislostí dynamického elektrického odporu vs. prúd a Kerrovej rotácie vs. magnetické pole. ÚI SAV rieši čiastkovú úlohu prípravy litografických rezistových masiek pre vývoj GMR nanostľpikov

Nanoštruktúrne tenkovrstvové materiály a inovatívne technológie pre MEMS senzory plynov a ťažkých kovov
Nanostructured thin-film materials and innovative technologies for MEMS gas and heavy metal sensors
Anotácia: Zámerom projektu je základný výskum v oblasti hľadania nových progresívnych materiálov na báze jednoduchých a zmiešaných kovových oxidov ako aj nových podkladových materiálov pre mikroelektródové polia. Predpokladáme, že naše aktivity budú zamerané na prípravu a výskum vlastností tenkých In2O3, TiO2, NiO vrstiev a ich vybraných kombinácii, pričom takéto vrstvy spolu so submikrometrovým elektródovým systémom a mikromechanickou platformou na báze polyimidovej membrány budú integrované do MEMS senzorov na detekciu plynov. Pozornosť bude venovaná aj výskumu pyrolytickej uhlíkovej vrstvy ako podkladu pre depozíciu Bi, pričom na stanovenie ťažkých kovov vo vodných syntetických roztokoch a reálnych vzorkách vody sa použije senzor, ktorý bude zahŕňať všetky 3 elektródy vo vertikálnom usporiadaní. Pre takýto integrovaný senzor bude optimalizovaná metodika merania pomocou elektrochemickej rozpúšťacej analýzyalebo potenciometrickej stripping analýzy.

Pokročilé MEMS chemické senzory pre extrémne podmienky
Advanced MEMS chemical sensors for extreme conditions
Anotácia: Cieľom projektu je návrh, technologická realizácia a analýza funkčných vlastností a multifunkčných princípov snímania pokročilého MEMS chemického senzorového prvku na báze piezoelektrického materiálového systému AlGaN/GaN a InAlN/GaN. Snahou tímu projektu bude predstaviť novo navrhnutý MEMS senzor, v celej jeho multidisciplinárnje zložitosti riešenia. Popri rozvíjaných metód modelovania a procesnej technológie prvku veľký dôraz bude kladený na rozvoj novej metológie snímania a detekcie ako aj nových nekonvekčných optických metód elektro-tepelno-mechanickej charakterizácie v statických ako aj dynamických pracovných podmienkach MEMS prvku. ÚI SAV rieši čiastkovú úlohu prípravy submikrometrových štruktúr metódou priamej elektrónovej litografie a realizáciu fotomasiek pre vývoj MEMS chemických senzorov.

Príprava \’aktívnych\’ hrotov sondovej mikroskopie metódou MOCVD
Preparation of \’active\’ tips for probe microscopy by MOCVD
Anotácia: Cieľom tohto projektu je rozpracovať technológiu „aktívnych hrotov“ sondových mikroskopov so súčiastkami (tranzistorom, senzormi, a pod.) umiestnenými priamo na stenách týchto hrotov. Takýmto spôsobom bude možné priamo vyhodnocovať meranú veličinu (elektrické pole, magnetické pole, teplotu, náboj, atď.), bez medziprevodu na mechanickú veličinu (ohyb nosníka). Aktívna vrstva bude na hrotoch na báze kvantových heteroštruktúr narastených metódou MOCVD na GaAs a InP. Okrem prípravy neplanárnych objektov a ich zarastania kvantovými štruktúrami cieľ projektu vyžaduje zvládnuť neplanárne technologické kroky ako litogrofiu, prípravu metalizácií, ohmické kontakty, pasiváciu a pod. na rôznych kryštalografických rovinách i mimo nich. Počítačové simulácie použijeme na určenie transportných vlastností takto pripravených súčiastok. Uvedený postup predstavuje úplne nový prístup ku skenovacím technikám a v ďalšom období môže priniesť významné aplikačné možnosti.ÚI SAV rieši čiastkovú úlohu viacúrovňovej priamej elektrónovej litografie pre tvarovanie aktívnych hrotov sondovej mikroskopie, pripravených na báze kvantových heteroštruktúr metódou MOCVD a submikrometrových Hallovských sond a realizáciu fotomasiek pre vývoj technológie „aktívnych hrotov“ sondových mikroskopov so súčiastkami (tranzistormi, senzormi, a pod.) umiestnenými priamo na stenách týchto hrotov.

Technológia výroby matice paralelných inteligentných nosníkov – sondových platform pre analýzu a syntézu v nanometrovej oblasti
Technology for the Production of Massively Parallel Intelligent Cantilever – Probe Platform for Nanoscale Analysis and Synthes
Anotácia: Finačná podpora SAV pre projekt 6RP č. 515739 PRONANO na vykrytie nenárokovateľných výdajov, napr. DPH.

Výskum nových nanolitografických technológii
Investigation of novel nanolithographic technologies
Anotácia: Predmet riešenia navrhovaného projektu patrí do oblasti vývoja nových nanolitografických technológií a postupov, ktoré sú kľúčovou technológiou vo výrobe nanoelektronických obvodov a nanosystémov. Nové a progresívne riešenia vo vývoji nanotechnológií budú hrať rozhodujúcu úlohu pre výrobu obvodov s rozmermi elementov menej ako 50 nm, v nanofotonike, v nanomagnetických prvkoch, v molekulárnej nanotechnológii, NEMS (nano-elektro-mechanických systémoch) technológii a pod. Príprava nanometrových štruktúr na neštandardných podložkách priamou litografiou s maximálnou presnosťou súkrytu ako aj príprava membránových masiek pre iónovú litografiu sú hlavnou oblasťou navrhovaného projektu. K tomu je potrebné optimalizovať expozície vhodných maskovacích materiálov (rezistov), prípravu dát pomocou nových algoritmov a optimalizáciu nových technologických procesov prípravy štruktúr.

Výskum a vývoj nových informačných technológií na predvídanie a riešenie krízových situácií a bezpečnosť obyvateľstva
(CRISIS)
Anotácia: Bezpečnosť obyvateľstva, predvídanie živelných pohrôm a krízový manažment patria v súčasnosti k aktuálnym témam v spoločnosti. Rozvoj IT umožňuje uplatnenie sofistikovaných metód v snahe redukovat ohrozenie obyvateľstva, majetku a životného prostredia.Realizáciou aktivít projektu sa dosiahne synergický efekt, ktorý posilní schopnosť všetkých aplikačných výstupov uplatniť sa v praxi. Jednotlivé aktivity projektu sú navzájom previazané s cieľom integrovať výsledky výskumu do široko koncipovaného bezpečnostného systému, ktorého použiteľnosť bude vo viacerých oblastiach ochrany obyvateľstva, majetku a životného prostredia. Prínosom projektu bude najmä obohatenie výskumu v jednotlivých oblastiach o ďalšie aspekty, ktoré zvýšia pridanú hodnotu výsledného riešenia. Výhodou komplexného prístupu k riešeniu IS pre bezpečnosť je aj súčast výskumu v oblasti vývoja progresívnych technológií pre prípravu špeciálnych obvodov a senzorov pre IS. Prenositeľnosť výsledkov do praxe bude zlepšená pridaním takých vlastnostíbezpečnostných systémov, ako je používanie expresívnej rečovej syntézy pre generovanie citovo podfarbených varovaní, vytvorenie vizualizačných nástrojov pre simuláciu šírenia požiarov, vizualizáciu syntézy reči a prepojeniena mechatronické systémy, ktoré budú zabezpečovať monitorovanie pohyblivých objektov, detekovanie rizikových situácií a na smart mobilné mechatronické systémy pre zabezpečenie pohybu v rizikovom teréne.