Laboratórium elektrónovej litografie a mikrotechnológií Vedúci: Ing. Mgr. R. Andok, PhD. |
Komplex zariadení pre prípravu mikroštruktúr vo výskume a vývoji mikroelektronických obvodov, senzorov a mikrosystémov.
Výskumno-vývojová infraštruktúra Oddelenia elektrónovej litografie ÚI SAV je rozdelená do nasledovných laboratórií: A. Laboratóriá Oddelenia elektrónovej litografie ÚI SAV, ktoré sú členené nasledovne: Základom tejto výskumno-vývojovej infraštruktúry sú klimatizované čisté priestory v budove ÚI SAV. Medzi unikátne a kľúčové zariadenia výskumno-vývojovej infraštruktúry ÚI SAV patria 2 elektrónové litografys variabilným prierezom elektrónového lúča: elektrónový litograf ZBA 21S s energiou elektrónov 20 keV (Vistec-Leica Microsystems Lithography), ktorý umožňuje prípravu štruktúr v submikrometrovej oblasti rozmerov (minimálny reprodukovateľný rozmer 400 nm) na podložkách s priemerom až do 15 cm; elektrónový litograf ZBA 23 s energiou elektrónov 40 keV (Vistec-Leica Microsystems Lithography), ktorý umožňuje prípravu štruktúr v submikrometrovej oblasti rozmerov (minimálny reprodukovateľný rozmer 200 nm) na podložkách s priemerom až do 18 cm. Dôležitou infraštrukúrou Oddelenia elektrónovej litografie sú ďalšie unikátne zariadenia podľa nasledovného zoznamu, ktoré sú potrebné pre vyhodnocovanie a analýzu litografických štruktúr, prípravu tenkých vrstiev, fotolitografiu, meranie hrúbky tenkých vrstiev, procesy s polymérmi, polyimidmi, chemikáliami a roztokmi, prípravu obvodov na meranie: Mikroskopické metódy: rastrovací elektrónový mikroskop s autoemisnou katódou S-800 (Hitachi), rozlíšenie 2 nm. Optické mikroskopy. Ďalšie zariadenia potrebné pre výskumnú špecializáciu Oddelenia elektrónovej litografie sú zabezpečené v rámci spolupráce s inými výskumnými pracoviskami. Plazmatické leptanie štruktúr metódou reaktívneho iónového leptania s ECR zdrojom (ECR RIE) je zabezpečené spoluprácou s ElÚ SAV a plazmatické leptanie štruktúr metódou reaktívneho iónového leptania s ICP zdrojom (ICP RIE) je zabezpečené spoluprácou s FEI STU. Doplnková rastrovacia elektrónová mikroskopia je zabezpečená spoluprácou s na ElÚ SAV na zariadení Quanta FEG250 (FEI). |
|