Laboratorium Laboratórium elektrónovej litografie a mikrotechnológií
Komplex zariadení pre prípravu mikroštruktúr vo výskume a vývoji mikroelektronických obvodov, senzorov a mikrosystémov.

Výskumno-vývojová infraštruktúra Oddelenia elektrónovej litografie ÚI SAV je rozdelená do nasledovných laboratórií:

1. Laboratórium elektrónovej litografie
2. Laboratórium fotolitografie
3. Laboratórium prípravy tenkých vrstiev
4. Laboratórium plazmatického leptania
5. Laboratórium optickej mikroskopie
6. Laboratórium vyhodnocovania, merania a analýzy štruktúr
7. Chemické laboratórium pre prácu s kyselinami, hydroxidmi, polymérmi, polyimidmi a chemickými roztokmi
8. Laboratórium pre finalizáciu čipov

Základom tejto výskumno-vývojovej infraštruktúry sú klimatizované čisté priestory v budove ÚI SAV.
Rozdelené sú do 3 kategórií:
1. Bežné laboratórne priestory s klimatizáciou o ploche 90 m2
2. Čisté priestory s výkonnou vzduchotechnikou s minimálnou triedou čistoty 1000 a teplotnou stablizáciou ±3°C o ploche 65 m2 (celkové priestory tejto časti 112 m2).
3. Čisté priestory s výkonnou vzduchotechnikou s minimálnou triedou čistoty 1000 a teplotnou stablizáciou ±0,5°C o ploche 65 m2.

Zoznam zariadení:
• Medzi unikátne a kľúčové zariadenia výskumno-vývojovej infraštruktúry ÚI SAV patria 2 elektrónové litografy s variabilným prierezom elektrónového lúča: elektrónový litograf ZBA 21S s energiou elektrónov 20 keV (Vistec-Leica Microsystems Lithography), ktorý umožňuje prípravu štruktúr v submikrometrovej oblasti rozmerov (minimálny reprodukovateľný rozmer 400 nm) na podložkách s priemerom až do 15 cm; elektrónový litograf ZBA 23 s energiou elektrónov 40 keV (Vistec-Leica Microsystems Lithography), ktorý umožňuje prípravu štruktúr v submikrometrovej oblasti rozmerov (minimálny reprodukovateľný rozmer 200 nm) na podložkách s priemerom až do 18 cm.

• Dôležitou infraštruktúrou Oddelenia elektrónovej litografie sú ďalšie unikátne zariadenia podľa nasledovného zoznamu, ktoré sú potrebné pre vyhodnocovanie a analýzu litografických štruktúr, prípravu tenkých vrstiev, fotolitografiu, meranie hrúbky tenkých vrstiev, procesy s polymérmi, polyimidmi, chemikáliami a roztokmi a prípravu obvodov na meranie:
Mikroskopické metódy: rastrovací elektrónový mikroskop s autoemisnou katódou S-800 (Hitachi), rozlíšenie 2 nm. Optické mikroskopy.
Fotolitografické zariadenie:MJB3 (Karl Suss), rozlíšenie 2 mikrometre.
Depozícia tenkých vrstiev: zariadenie pre magnetrónové naprašovanie SCM 600 (Alcatel) a zariadenie pre naparovanie elektrónovým delom (planetárny systém) (VEB HochvakuumDresden).
Oprava defektov v tenkých chrómových vrstvách na fotomaskách: zariadenie s impulzným výkonným laserovým lúčom NEC YL451 (NEC).
Meranie hrúbky tenkých vrstiev: profilometer Alphastep (Tencor Instruments), rozlíšenie niekoľko nanometrov.
Procesy s rezistami a polyimidmi: čistenie (Ultratech), nanášanie rotáciou v zariadení (Convac 1001G, Convac 1001 GS ver. 8531), leptanie v kyselinách, hydroxidoch a roztokoch, výroba deionizovanej vody (W.Werner).
Zariadenia pre finalizáciu čipov:diamantová píla, kontaktovačka (VEB Elektromat).

• Ďalšie zariadenia potrebné pre výskumnú špecializáciu Oddelenia elektrónovej litografie sú zabezpečené v rámci spolupráce s inými výskumnými pracoviskami. Plazmatické leptanie štruktúr metódou reaktívneho iónového leptania s ECR zdrojom (ECR RIE) je zabezpečené spoluprácou s ElÚ SAV a plazmatické leptanie štruktúr metódou reaktívneho iónového leptania s ICP zdrojom (ICP RIE) je zabezpečené spoluprácou s FEI STU. Doplnková rastrovacia elektrónová mikroskopia je zabezpečená spoluprácou s na ElÚ SAV na zariadení Quanta FEG250 (FEI).

Exkurzia súkromnej strednej školy z Popradu – Tatranská akadémia
Dňa 23.3.2016 navštívili náš ústav študenti informatického odboru Tatranskej akadémie v Poprade spolu so svojimi pedagógmi. O program pre študentov sa postarali naši kolegovia J. Zelenka, J. Mojžiš, O. Kachmann, M. Dobrucký, I. Kostič. Prezentovali im niektoré výsledky našej práce a zaviedli ich aj do našich laboratórií.