Slovenský názov

Príprava 'aktívnych' hrotov sondovej mikroskopie metódou MOCVD

Evidenčné číslo projektu

APVV-51-045705

Začiatok: 01.01.2007 Koniec: 30.09.2009

Koordinátor projektu

Elektrotechnický ústav SAV

Program

APVV

Podprogram

Všeobecná 2006

Anotácia (SK)

Cieľom tohto projektu je rozpracovať technológiu „aktívnych hrotov“ sondových mikroskopov so súčiastkami (tranzistorom, senzormi, a pod.) umiestnenými priamo na stenách týchto hrotov. Takýmto spôsobom bude možné priamo vyhodnocovať meranú veličinu (elektrické pole, magnetické pole, teplotu, náboj, atď.), bez medziprevodu na mechanickú veličinu (ohyb nosníka). Aktívna vrstva bude na hrotoch na báze kvantových heteroštruktúr narastených metódou MOCVD na GaAs a InP. Okrem prípravy neplanárnych objektov a ich zarastania kvantovými štruktúrami cieľ projektu vyžaduje zvládnuť neplanárne technologické kroky ako litogrofiu, prípravu metalizácií, ohmické kontakty, pasiváciu a pod. na rôznych kryštalografických rovinách i mimo nich. Počítačové simulácie použijeme na určenie transportných vlastností takto pripravených súčiastok. Uvedený postup predstavuje úplne nový prístup ku skenovacím technikám a v ďalšom období môže priniesť významné aplikačné možnosti. ÚI SAV rieši čiastkovú úlohu viacúrovňovej priamej elektrónovej litografie pre tvarovanie aktívnych hrotov sondovej mikroskopie, pripravených na báze kvantových heteroštruktúr metódou MOCVD a submikrometrových Hallovských sond a realizáciu fotomasiek pre vývoj technológie „aktívnych hrotov“ sondových mikroskopov so súčiastkami (tranzistormi, senzormi, a pod.) umiestnenými priamo na stenách týchto hrotov.

Partnerské inštitúcie

Slovensko: ElÚ SAV (koordinátor)

WWW stránka projektu

http://www.elu.sav.sk/apvv.html

Gregušová, D., Martaus, J., Fedor, J., Kúdela, R., Kostič, I., and Cambel, V.: On-tip sub-micrometer Hall probes for magnetic microscopy prepared by AFM lithography, Ultramicroscopy 109 (2009) 1080-1084.

Eliáš, P., Kostič, I., Kúdela, R., and Novák, J.: Localised etching of (100) GaAs via an AlAs sacrificial layer. In: ASDAM 2008. The 7^th Inter. Conf. Advanced Semicond. Devices Microsyst. Eds. Š. Haščík and J.Osvald. Piscataway: IEEE 2008. ISBN: 978-1-4244-2325-5. P. 303-306.

Gregušová, D., Eliáš, P., Öszi, Zs., Kúdela, R., Šoltýs, J., Fedor, J., Cambel, V., and Kostič, I.: Technology and properties of a vector hall sensor, Microelectronics J. 37 (2006) 1543-1546.