Slovenský názov

Pokročilé MEMS chemické senzory pre extrémne podmienky

Akronym

CHEMISEC

Evidenčné číslo projektu

APVV-0655-07

Začiatok: 01.06.2008 Koniec: 31.12.2010

Koordinátor projektu

Elektrotechnický ústav SAV

Krajina koordinátora

Slovensko

Program

APVV

Podprogram

Všeobecná 2007

Anotácia (SK)

Cieľom projektu je návrh, technologická realizácia a analýza funkčných vlastností a multifunkčných princípov snímania pokročilého MEMS chemického senzorového prvku na báze piezoelektrického materiálového systému AlGaN/GaN a InAlN/GaN. Snahou tímu projektu bude predstaviť novo navrhnutý MEMS senzor, v celej jeho multidisciplinárnje zložitosti riešenia. Popri rozvíjaných metód modelovania a procesnej technológie prvku veľký dôraz bude kladený na rozvoj novej metológie snímania a detekcie ako aj nových nekonvekčných optických metód elektro-tepelno-mechanickej charakterizácie v statických ako aj dynamických pracovných podmienkach MEMS prvku. ÚI SAV rieši čiastkovú úlohu prípravy submikrometrových štruktúr metódou priamej elektrónovej litografie a realizáciu fotomasiek pre vývoj MEMS chemických senzorov.

Anotácia (EN)

Much efforts of the project research team will be made to introduce the new designed MEMS sensoric device in all its complexity and multidisciplinary basis. Therefore, besides the modelling and fabrication methods developed, much attention will be devoted to new methodology of sensing and detection and new non-conventional methods to analyze the basic thermo-mechanical properties of the MEMS device in both stationary dynamic process conditions.

Partnerské inštitúcie

Slovensko: ElÚ SAV (koordinátor), Applied Precision, Medzinárodné laserové centrum (Bratislava), FEI STU

Publications:

Vanko, G., Lalinský, T., Haščík, Š., Rýger, I., Mozolová, Ž., Škriniarová, J., Tomáška, M., Kostič, I., and Vincze, A.: Impact of SF₆ plasma treatment on performance of AlGaN/GaN HEMT, Vacuum 84 (2009) 235-237.

Lalinský, T., Rýger, I., Rufer, L., Vanko, G., Haščík, Š., Mozolová, Ž., Škriniarová, J., Tomáška, M., Kostič, I., and Vincze, A.: Surface acoustic wave excitation on SF₆ plasma-treated AlGaN/GaN heterostructure, Vacuum 84 (2009) 231-234.

Vanko, G., Lalinský, T., Tomáška, M., Haščík, Š., Mozolová, Ž., Škriniarová, J., Kostič, I., Vincze, A., and Uherek, F.: Impact of SF6 plasma on DC and microwave performance of AlGaN/GaN HEMT structures. In: ASDAM 2008. The 7^th Inter. Conf. Advanced Semicond. Devices Microsyst. Eds. Š. Haščík and J.Osvald. Piscataway: IEEE 2008. ISBN: 978-1-4244-2325-5. P. 335-338.